[发明专利]一种去除金属表面氟离子的方法在审
| 申请号： | 201811426671.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111223759A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;王卫彬 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种去除金属表面氟离子的方法。该方法包括以下步骤：用光刻显影液涂覆待处理的金属表面即可；其中，光刻显影液为碱性光刻显影液；待处理的金属表面为半导体集成制造中后端工艺结束后获得的器件表面。本发明的方法能够简单有效的去除金属表面氟离子，还特别适用于去除半导体集成制造中后端工艺结束后获得的器件表面的氟离子，可以普遍用于大规模生产中，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 金属表面 离子 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
