[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811426700.1 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109712986B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 董金文;陈俊;华子群;朱继锋;陈赫;肖亮;王永庆;刘艳云;黄诗琪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该存储器件包括：半导体衬底；栅叠层结构，与半导体衬底的第一表面接触，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；以及位于存储区域的多个沟道柱，贯穿栅叠层结构，并与半导体衬底电相连，3D存储器件还包括至少一个第一通孔，贯穿半导体衬底且与存储区域的位置相对应，用于向相应的沟道柱导入钝化元素。该存储器件不仅增多了提供钝化元素的路径，而且减少了钝化元素在存储区域中到达沟道柱的扩散距离，解决了钝化元素无法有效地扩散到沟道层的问题，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件，包括：半导体衬底；栅叠层结构，与所述半导体衬底的第一表面接触，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；以及位于存储区域的多个沟道柱，贯穿所述栅叠层结构，并与所述半导体衬底电相连，所述3D存储器件还包括至少一个第一通孔，贯穿所述半导体衬底且与所述存储区域的位置相对应，用于向相应的所述沟道柱导入钝化元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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