[发明专利]一种在介电材料衬底上制备石墨烯的方法

摘要

一种在介电材料衬底上制备石墨烯的方法，1)在金属衬底上制备石墨烯薄膜；2)将金属衬底连同其上的石墨烯薄膜切割成小片；3)清洗介电材料衬底；4)将步骤2)小片上的石墨烯作为籽晶转移到介电衬底上，得到石墨烯籽晶/介电衬底；5)将石墨烯籽晶/介电衬底放入化学气相沉积系统中；6)打开真空泵，抽真空；7)通入惰性气体，将生长腔加热至1000℃～1300℃；8)通入氢气、碳氢化合物，促进石墨烯籽晶长大；9)待石墨烯生长完成后，关闭加热电源，关闭氢气和碳氢化合物流量计，使石墨烯/介电衬底冷却至室温；可直接在介电材料上制得了石墨烯样品，省去了金属衬底生长后转移的过程，工作量少，保护了石墨烯完整性和晶体质量，经济效益高。

主权项

1.一种在介电材料衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在金属衬底上制备石墨烯薄膜；2)将金属衬底连同其上的石墨烯薄膜切割成小片；3)对介电材料衬底进行清洗；4)将步骤2)中小片上的石墨烯作为籽晶转移到介电衬底上，得到石墨烯籽晶/介电衬底；5)将石墨烯籽晶/介电衬底放入化学气相沉积系统中；6)打开真空泵，将化学气相沉积系统中的气压抽至0.05Pa以下；7)通入一定流量的高纯惰性气体，并打开加热电源，将生长腔加热至1000℃～1300℃；8)通入一定流量的氢气、碳氢化合物，并调节惰性气体的流量，保温一定时间，促进石墨烯籽晶长大；9)待石墨烯生长0.1～6h，生长完成后，关闭化学气相沉积系统的加热电源，关闭氢气和碳氢化合物流量计，使石墨烯/介电衬底随炉冷却至室温；10)待生长室温度降至室温后，取出，获得长有大尺寸石墨烯晶畴的介电材料衬底。