[发明专利]一种过渡金属族硫化物逻辑运算器及其构筑方法有效

专利信息
申请号: 201811426960.9 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN109638152B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 张跃;高丽;张铮;廖庆亮;高放放;张先坤;柳柏杉;杜君莉;于慧慧;洪孟羽;欧洋;肖建坤 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于逻辑运算器领域,涉及一种过渡金属族硫化物同质结逻辑运算器及其构筑方法。构筑方法为:对一个过渡金属族硫化物纳米片的一半区域进行保护,另一半未保护的区域用弱氧化性溶液进行硫空位的构筑。而过渡金属族硫化物的电子特性受硫空位调控的影响明显,从而在保护区域和硫空位构筑区域产生了电子浓度差,形成同质结。在原始区域,硫空位构筑区域和同质结区域构筑电极之后便可得到同质结逻辑运算器,避免了复杂范德华异质结堆垛的工艺和不稳定的器件界面和不稳定的P/N掺杂,提供一个简单稳定的同质结逻辑运算器构筑新途径。由于二维过渡金属族硫化物超薄的特性,将在下一代柔性,透明,大规模集成电子器件上面具有极大的应用前景。
搜索关键词: 一种 过渡 金属 硫化物 逻辑 运算器 及其 构筑 方法
【主权项】:
1.一种过渡金属族硫化物逻辑运算器,其特征在于,所述过渡金属族硫化物逻辑运算器包括目标基底、过渡金属族硫化物纳米片和电极;其中,所述过过渡金属族硫化物纳米片设置所述目标基底上,所述过渡金属族硫化物纳米片分为硫空位构筑区域,原始区域以及同质结区域;所述电极分别设置在所述硫空位构筑区域,原始区域和同质结区域上。
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