[发明专利]具有高迁移率高性能的菱形碲化锗基化合物热电材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811427343.0 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109509829A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 裴艳中;李文;卜中林 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 褚明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高迁移率高性能的菱形碲化锗基热电材料及其制备方法，该热电材料的表达式用GeTe‑xCu2Te‑yBiTe‑zPbTe合金表示(0＜x≤0.02，0＜y≤0.045，0＜z≤0.1)；制备方法是以金属单质为原料，按比例进行配料，通过真空封装、高温熔融、退火热处理后，研磨成粉末，进行真空热压烧结、缓慢降温后得到片状材料即为目标组分的新型碲化锗基热电材料。通过固溶少量碲化亚铜，在晶体结构和价带结构影响可忽略的情况下有效地降低了载流子浓度，揭示了菱形碲化锗是一种具有高迁移率高热电性能的材料(其热电优值zT在650K达到2.4，在300‑650K的平均zT达到1.2)，而且揭示了菱形碲化锗的轴间角可作为推进碲化锗热电工程的核心指导参数，为进一步研究发展低对称热电材料提供了一种新的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化锗 热电材料 菱形 高迁移率 制备 载流子 真空热压烧结 退火 高热电性能 热处理 高温熔融 缓慢降温 基化合物 结构影响 金属单质 晶体结构 片状材料 热电工程 真空封装 碲化亚铜 研磨 有效地 轴间角 固溶 价带 热电 对称 合金 研究 | ||
【主权项】：
1.一种具有高迁移率高性能的菱形碲化锗基化合物热电材料，其特征在于，其组成表示为GeTe‑xCu2Te‑yBiTe‑zPbTe，其中，0＜x≤0.02，0＜y≤0.045，0＜z≤0.1。
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