[发明专利]可控硅驱动电路及其驱动方法在审

专利信息
申请号: 201811428026.0 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN109286392A 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 平志雄;翟红雨 申请(专利权)人: 嘉兴志嘉智能电器有限公司
主分类号: H03K17/081 分类号: H03K17/081;H03K17/79
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 王大国
地址: 314000 浙江省嘉兴市秀洲区加*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了可控硅驱动电路及其驱动方法。可控硅驱动电路包括MCU芯片U1、过零信号电路、可控硅触发电路,所述可控硅驱动电路用于驱动发热元件Heater。低压隔离光耦B1与市电的L线之间接入电荷保持电路。本发明公开的可控硅驱动电路及其驱动方法,通过巧妙设置电荷保持电路,实现在多类型故障状态下的可控硅驱动自动保护,避免高温灼烧等安全隐患;通过MCU芯片的内部定时器延时输出可控硅触发时间基准,修正过零信号延时;通过将可控硅的触发时间分解为多个短时触发片段,保证电路触发的可靠性,同时降低电磁辐射。
搜索关键词: 可控硅驱动电路 驱动 电荷保持电路 触发 可控硅触发电路 过零信号电路 可控硅触发 可控硅驱动 内部定时器 电磁辐射 安全隐患 电路触发 发热元件 高温灼烧 隔离光耦 故障状态 过零信号 时间分解 时间基准 延时输出 自动保护 多类型 可控硅 延时 市电 修正 保证
【主权项】:
1.一种可控硅驱动电路,其特征在于,包括MCU芯片U1、过零信号电路、可控硅触发电路,所述可控硅驱动电路用于驱动发热元件Heater,其中:所述过零信号电路的强电侧电路结构包括电阻R45、电阻R46、整流二极管D1、低压隔离光耦B1,所述电阻R46的一端通过整流二极管D1接于电阻R45的一端,所述电阻R45的另一端接于市电的N线,所述电阻R46的另一端接于低压隔离光耦B1的第1端,所述低压隔离光耦B1与市电的L线之间接入电荷保持电路;所述可控硅触发电路包括可控硅TRI1、电阻R14、限流电阻R4、低压隔离光耦B2和电阻R48,所述可控硅TRI1的T2端接于发热元件Heater,所述可控硅TRI1的T1端接于电荷保持电路,所述可控硅TRI1的T1端同时通过电阻R14接于可控硅TRI1的G端,所述可控硅TRI1的G端通过限流电阻R4接于低压隔离光耦B2的第1端,所述低压隔离光耦B2的第3端通过电阻R48接于MCU芯片U1的控制端口。
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