[发明专利]加热台以及用于处理半导体晶片的设备有效

专利信息
申请号: 201811428231.7 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN110010517B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 邱柏渊;黄之骏;沈秉廷;黄力上 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 康艳青;姚开丽
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明实施例提供一种加热台及用于处理半导体晶片的设备。一种加热台包含底座以及导热板。导热板位于底座上。导热板具有中央部以及包围中央部的边缘部,且边缘部包括第一部分以及连接到第一部分的第二部分,其中第一部分包夹在中央部与第二部分之间。第二部分的高度沿从中央部朝向边缘部的方向逐渐降低。
搜索关键词: 加热 以及 用于 处理 半导体 晶片 设备
【主权项】:
1.一种加热台,其特征在于,包括:底座;以及导热板,位于所述底座上,其中所述导热板具有中央部以及包围所述中央部的边缘部,且所述边缘部包含第一部分以及包围所述第一部分的第二部分,其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间,且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。
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