[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片有效
| 申请号： | 201811428459.6 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109638116B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 赵利削;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管制造领域。在衬底上的缓冲层上分别生长同轴的N型GaN层与P型GaN层，N型GaN层的轴线垂直衬底生长缓冲层的表面且P型GaN层与N型GaN层之间形成环形发光间隙；向环形发光间隙内注入钙钛矿的前驱体溶液后加热使环形发光间隙内的前驱体溶液完全结晶，N型GaN层提供的电子与P型GaN层提供的空穴在完全结晶的钙钛矿中复合发光。在钙钛矿的形成过程中，钙钛矿通过完全结晶形成，而非通过MOCVD设备进行生长，钙钛矿中各处的生长情况均较为均匀，不存在外延片内温度不均造成的发光不均匀问题，可较大程度地提高发光二极管的发光均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上形成圆柱形的N型GaN层，所述N型GaN层的轴线垂直于所述衬底生长所述缓冲层的表面；在所述缓冲层上形成圆筒形的P型GaN层，所述P型GaN层同轴套设在所述N型GaN层外，且所述P型GaN层与所述N型GaN层之间形成发光间隙；在衬底温度为20～30℃时向所述发光间隙内注入钙钛矿的前驱体溶液；对所述外延片进行加热直至所述钙钛矿的前驱体溶液完全结晶。
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