[发明专利]光刻胶层的曝光后烘烤方法及装置在审
| 申请号： | 201811428903.4 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111221226A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 李成立 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了光刻胶层的曝光后烘烤方法和烘烤装置，曝光后烘烤通过采用反面烘烤(朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面)或双面烘烤方式来改善或控制光刻胶层顶部和底部的PAC分布，进而影响光刻胶层不同区域的显影速率，最终改变负胶沟槽形貌，以使负胶沟槽开口减小的同时侧壁角不增大，即保证后续对所述光刻胶层执行显影工艺所得到的负胶沟槽始终为正梯形沟槽，解决了缩小沟槽开口宽度的同时沟槽侧壁角会增大使得金属剥离难度增加的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 烘烤 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备（集团）股份有限公司，未经上海微电子装备（集团）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811428903.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
