[发明专利]一种复合背面场空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法

摘要

本发明公开了一种复合背面场空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，它优化了常规空间晶格匹配GaInP/GaInAs/Ge电池中的背面场层，即：本发明在空间晶格匹配GaInP/InGaAs/Ge电池中的中电池和顶电池分别引入复合背面场结构，中电池为Al_0.3Ga_0.7As/Ga_0.5In_0.5P复合背面场结构，顶电池为Al_0.33Ga_0.15In_0.52P/Al_0.1Ga_0.4In_0.5P复合背面场结构。通过复合背面场各层组分和浓度的设计，使背面场内形成导带阶和浓度梯度，使得背面场与基区间电场加强，从而使电池基区中产生的光生载流子到达背面场时反射效率提高，少子更好的被收集，从而提升了电池的光电转化效率。

主权项

1.一种复合背面场空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，其特征在于：在常规空间晶格匹配的GaInP/GaInAs/Ge结构的中电池和顶电池分别引入复合背面场层结构，以提高光生载流子的收集效率，从而提升电池效率；具体步骤如下：运用AXITRON公司的2600G3型MOCVD设备，在p‑Ge衬底上依次沉积n‑AlGaInP成核层，n‑GaAs/n‑GaInAs缓冲层，n++‑GaAs/p++‑GaAs隧穿结层，p‑AlGaAs/p‑AlGaInAs(DBR)反射层，p‑Al0.3Ga0.7As/p‑Ga0.5In0.5P复合背面场层，p‑GaInAs基区层，n‑GaInAs发射区层，n‑AlInP窗口层，n++‑GaInP/p++‑AlGaAs隧穿结层，p‑Al0.33Ga0.15In0.52P/p‑Al0.1Ga0.4In0.5P复合背面场层，p‑GaInP基区层，n‑GaInP发射区层，n‑AlInP窗口层和n+‑GaAs欧姆接触层。