[发明专利]非易失性存储器件在审
| 申请号： | 201811431880.2 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110277494A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘香根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括依次设置的第一电极层、第一阻挡层、电阻存储层、第二阻挡层和第二电极层。所述电阻存储层包括莫特材料，所述莫特材料具有根据外部施加的电场而变化的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器件 电阻存储层 阻挡层 电场 第二电极 第一电极 依次设置 电阻率 施加 外部 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：依次设置的第一电极层、第一阻挡层、电阻存储层、第二阻挡层和第二电极层，其中所述电阻存储层包括莫特材料，所述莫特材料具有根据外部施加的电场而变化的电阻率。
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