[发明专利]一种高频磁元件绕组损耗的测量方法有效
| 申请号： | 201811432097.8 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109283399B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 叶建盈;郑荣进;李锦彬;黄晓生;黄文彬 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350118 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高频磁元件绕组损耗的测量方法，采用励磁源分别施加于并联的被测磁元件和参考磁元件的两端，使得两个磁元件两端施加的励磁源电压相同；所述被测磁元件由磁芯和绕组组成；所述参考磁元件采用与被测磁元件具有相同规格和材料的磁芯和绕组，并在此基础上增加一个辅助绕组；测量时所述参考磁元件辅助绕组开路，通过损耗测量仪器测量电参数，根据测量出的电参数与损耗的关系，获得所述被测磁元件的绕组损耗。本发明能够实现对任意励磁波形工况下高频磁元件的绕组损耗进行测量，且获得的损耗不仅能体现磁元件中磁场、温度以及实际工况对绕组损耗的影响，还可测量多绕组磁元件中每个绕组的损耗。测量方便、快捷、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 元件 绕组 损耗 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频磁元件绕组损耗的测量方法，其特征在于：采用励磁源分别施加于并联的被测磁元件和参考磁元件的两端，使得两个磁元件两端施加的励磁源电压相同；所述被测磁元件由磁芯和绕组组成；所述参考磁元件采用与被测磁元件具有相同规格和材料的磁芯和绕组，并在此基础上增加一个辅助绕组；测量时所述参考磁元件辅助绕组开路，通过损耗测量仪器测量电参数，根据测量出的电参数与损耗的关系，获得所述被测磁元件的绕组损耗。
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