[发明专利]半导体存储器件和制造其的方法有效
| 申请号： | 201811432240.3 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109841595B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 宋正宇;金光敏;李俊镐;姜赫镇;金容宽;韩相然;朴世根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体存储器件和制造其的方法。该半导体存储器件可以包括：第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，在半导体衬底中彼此间隔开；位线，电连接到第一杂质掺杂区并跨越半导体衬底；存储节点接触，电连接到第二杂质掺杂区；第一间隔物和第二间隔物，设置在位线与存储节点接触之间；以及气隙区，设置在第一间隔物与第二间隔物之间。第一间隔物可以覆盖位线的侧壁，第二间隔物可以与存储节点接触相邻。第一间隔物的顶端可以具有比第二间隔物的顶端的高度高的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，在半导体衬底中彼此间隔开；位线，电连接到所述第一杂质掺杂区并且跨越所述半导体衬底；存储节点接触，电连接到所述第二杂质掺杂区；第一间隔物和第二间隔物，设置在所述位线与所述存储节点接触之间；以及气隙区，设置在所述第一间隔物与所述第二间隔物之间，其中所述第一间隔物覆盖所述位线的侧壁，并且所述第二间隔物与所述存储节点接触相邻，以及所述第一间隔物的顶端具有比所述第二间隔物的顶端的高度高的高度。
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