[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811432605.2 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110021517B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 高琬贻;柯忠祁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及在FinFET器件中形成例如低k栅极间隔件层的低k介电材料的方法。可以使用具有通用化学结构的前体形成低k介电材料，通用化学结构包括键合在两个硅原子之间的至少一个碳原子。可以通过控制介电材料中的碳浓度实现介电材料的目标k值。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：使用原子层沉积(ALD)工艺形成低k层，所述原子层沉积工艺包括：对于一个循环，流入硅‑碳源前体，所述硅‑碳源前体具有包括键合在两个硅原子之间的至少一个碳原子的化学结构；以及重复所述循环多次。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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