[发明专利]竖直存储器装置

摘要

本申请提供一种竖直存储器装置。所述竖直存储器装置包括衬底上的栅电极结构以及沟道。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的栅电极。沟道在衬底上在竖直方向上延伸穿过栅电极结构。沟道包括：具有相对于衬底的上表面的倾斜侧壁的第一部分，以及接触所述第一部分的上表面并且具有相对于衬底的上表面的倾斜侧壁的第二部分。所述第二部分的上表面的宽度小于所述第一部分的上表面的宽度。掺有碳或p型杂质的杂质区形成在衬底的上部。沟道接触杂质区。

主权项

1.一种竖直存储器装置，包括：衬底，所述衬底的上部包括掺有碳或p型杂质的杂质区；所述衬底上的栅电极结构，所述栅电极结构包括在实质上垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的栅电极；以及沟道，其在所述衬底上在所述竖直方向上延伸穿过所述栅电极结构，所述沟道包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，所述第二部分接触所述第一部分的上表面，所述第二部分具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，所述第二部分的上表面的宽度小于所述第一部分的上表面的宽度，并且所述沟道接触所述杂质区。