[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811433646.3 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109671818B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;刘旺平;曹阳;王群;葛永晖;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，氮化镓基发光二极管外延片还包括石墨烯粉末和第一氢化硼层，石墨烯粉末平铺在缓冲层上，第一氢化硼层铺设在石墨烯粉末以及石墨烯粉末中露出的缓冲层上。本发明通过先在缓冲层上平铺一层石墨烯粉末，再在石墨烯粉末和石墨烯粉末中露出的缓冲层上铺设氢化硼层，石墨烯的导热性能很好，同时氢化硼的导热性能也不差，可以快速传递外延生长的热量，提高外延片的均匀性和一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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