[发明专利]一种采用单相纳米银铜合金焊膏制备低温连接高温服役接头的方法有效
| 申请号： | 201811436197.8 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109545696B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王春青;郑振;刘威 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B81C3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种采用单相纳米银铜合金焊膏制备低温互连高温服役接头的方法，涉及微连接技术领域。包括如下步骤：步骤一：将纳米金属间化合物焊膏放置于基板上，完成待焊部件对准过程，并施加压力；步骤二：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，完成有机物的挥发、单相纳米合金颗粒之间的均匀烧结以及与焊盘的润湿和界面反应。本发明采用了单相纳米银铜合金颗粒，纳米颗粒很大的表面活性能为其烧结过程提供了强大的驱动力，实现了远低于其块体熔点的与传统回流焊工艺兼容的低温连接，形成抗氧化能力、抗电迁移及抗电化学迁移能力强的优良接头，在成本低、与传统工艺兼容性好、生产效率高的前提下实现了低温连接高温服役。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 单相 纳米 铜合金 制备 低温 连接 高温 服役 接头 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用单相纳米银铜合金焊膏制备低温互连高温服役接头的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将单相纳米银铜合金焊膏铺设于焊盘Ⅱ（4）上，将焊盘Ⅰ（2）与焊盘Ⅱ（4）对准，并施加0.2~10Mpa压力；步骤二：将以上体系放入回流炉中，以2~10℃/min的速度加热至180~200℃完成预热阶段，以1~3℃/min的加热速率完成5~30min的加热阶段，达到峰值温度后在峰值温度下保温5~10min，最后随炉冷至100℃以下，即得到低温互连高温服役接头。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
