[发明专利]测试扫描方法在审
| 申请号： | 201811438139.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109585323A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 董健;刘命江 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种测试扫描方法，包括：提供测试机台，测试机台中有扫描探头；提供晶圆，晶圆包括边缘芯片区和若干主测试芯片区；选择与边缘芯片区邻近的若干主测试芯片区作为对比芯片区；将晶圆放置在测试机台中后，扫描探头发射测试入射光至边缘芯片区的表面和各对比芯片区的表面，并获取自边缘芯片区表面的第一测试反射光以及自各对比芯片区表面的第二测试反射光；设置参考预设芯片区，参考预设芯片区表面具有参考灰阶度，参考灰阶度根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取；通过对边缘芯片区表面的第一测试反射光的灰阶度与参考预设芯片区表面的参考灰阶度进行比较，判断边缘芯片区表面缺陷状态。所述方法能对边缘芯片区表面缺陷状态进行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片区 边缘芯片 灰阶度 测试 反射光 区表面 参考 测试机台 晶圆 预设 缺陷状态 扫描探头 主测试 扫描 发射测试 入射光 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种测试扫描方法，其特征在于，包括：提供测试机台，所述测试机台中具有扫描探头；提供晶圆，所述晶圆包括边缘芯片区和若干主测试芯片区；选择与所述边缘芯片区邻近的若干主测试芯片区作为对比芯片区；将所述晶圆放置在测试机台中；将所述晶圆放置在测试机台中后，所述扫描探头发射测试入射光至边缘芯片区的表面和各对比芯片区的表面，并获取自边缘芯片区表面的第一测试反射光、以及自各对比芯片区表面的第二测试反射光；设置参考预设芯片区，所述参考预设芯片区表面具有参考灰阶度，所述参考灰阶度根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取；通过对所述边缘芯片区表面的第一测试反射光的灰阶度与所述参考预设芯片区表面的参考灰阶度进行比较，判断边缘芯片区表面缺陷状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
