[发明专利]陶瓷低温活性金属化用膏体、陶瓷金属化方法及依据该方法制备的真空电子器件有效
| 申请号： | 201811438469.8 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109384474B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 黄晓猛;陈立建;张国清;韩鹏;焦磊;王冉;王峰 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属与稀土应用研究所 |
| 主分类号： | C04B41/88 | 分类号： | C04B41/88 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘茵 |
| 地址： | 100012 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种陶瓷低温活性金属化用膏体、陶瓷金属化方法及依据该方法制备的真空电子器件。膏体的组成为：Mo粉3.0～5.0wt.％，粘结剂8.0～15.0wt.％和AgCuInTiLi合金粉为余量。其制备方法包括：制备陶瓷低温活性金属化用膏体，将膏体涂覆在陶瓷表面，烘干陶瓷除去粘结剂和真空烧结。陶瓷活性金属化处理后，可在表面生成厚度40μm～60μm的金属过渡层，可焊性得到改善，焊着率及焊接强度显著提高。该处理方法适用于氧化铝、氧化锆、氧化铍、氮化硼等多种陶瓷金属化，方法简单，操作流程短，成本低，利于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 低温 活性 金属 化用 金属化 方法 依据 制备 真空 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷低温活性金属化用膏体，其特征在于，其组成为：Mo粉3.0～5.0wt.％，粘结剂8.0～15.0wt.％和AgCuInTiLi合金粉余量；该AgCuInTiLi合金粉的组成为：Cu 18.5～27.5wt.％，In 18.0～22.0wt.％，Ti3.0～5.0wt.％，Li1.0～2.0wt.％和Ag余量。
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