[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制造方法

摘要

本发明实施例涉及磁阻式随机存取存储器结构及其制造方法。一种磁阻式随机存取存储器结构，所述磁阻式随机存取存储器结构包含阵列区域及毗邻于所述阵列区域的逻辑区域。所述逻辑区域包含底部电极通路、位于所述底部电极通路上方的磁阻式穿隧结层、位于所述MTJ上方的顶部电极、位于所述MTJ及所述顶部电极上方的保形氧化物层及位于所述保形氧化物层上方的氧化硅层。所述保形氧化物层及所述氧化硅层从所述阵列区域延伸到所述逻辑区域。

主权项

1.一种磁阻式随机存取存储器MRAM结构，其包括：阵列区域；及毗邻于所述阵列区域的逻辑区域，其中所述阵列区域包括：底部电极通路BEVA；磁阻式穿隧结MTJ，其位于所述BEVA上方；顶部电极，其位于所述MTJ上方；保形氧化物层，其位于所述MTJ及所述顶部电极上方；及氧化硅层，其位于所述保形氧化物层上方，其中所述保形氧化物层及所述氧化硅层从所述阵列区域延伸到所述逻辑区域。