[发明专利]一种结晶度高超长SiC纳米线的制备方法

摘要

本发明为一种结晶度高超长SiC纳米线的制备方法，通过两步法制备SiC纳米线，采用浸渍了碳泡沫作为模板，采用化学气相渗透工艺制备高结晶度SiC纳米线后，再将碳泡沫模板和杂质去除得到纯度极高的SiC纳米线，所制备的SiC纳米线具备结晶度高、杂质少、纳米纤维长度大，同时纳米线互相搭接成三维网状结构。该纳米线具有比表面积大，耐温性好，抗氧化等优点，可用于超级电容器，储能材料，催化剂载体等。

主权项

1.一种结晶度高超长SiC纳米线的制备方法，其特征在于包括以下顺序步骤：（1）将碳泡沫依次放入超纯水、乙醇和丙酮进行超声波清洗后室温干燥；（2）使用乙醇和催化剂配置成质量浓度为0.01%~1%的催化剂溶液；（3）将步骤（1）中清洗后的碳泡沫放入步骤（2）所制备的催化剂溶液中浸透后，挤压碳泡沫排尽多余的催化剂溶液后烘干，制得负载镍催化剂的碳泡沫；（4）将步骤（3）中负载催化剂的碳泡沫放入管式炉中，抽真空后，向反应炉内通入反应源气体，升温至800~1300℃，反应源气体为氩气、氢气、三氯甲基硅烷混合气体；（5）在步骤（4）反应完毕后，关闭源气体，并随炉冷却至室温；（6）将步骤（5）中所制得的复合物放入箱式电阻炉中，在空气中350~700℃热解；（7）将步骤（6）中的产物放入稀硝酸、稀氢氟酸和缓蚀剂的的混合溶液中溶解去除杂质后，过滤得SiC纳米线初级产品；（8）将步骤（7）中制得的SiC纳米线初级产品依次使用蒸馏水、乙醇和丙酮进行清洗后，干燥制得结晶度高超长SiC纳米线，所制备得的SiC纳米线为β‑SiC纳米线，纯度≥99%，纳米线的直径为10~80nm，长度为100~1000μm。