[发明专利]一种热压低温扩散热变形纳米晶磁体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811440712.X 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN109360703B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 冯海波;李安华;谭敏;郭朝晖;李卫 申请(专利权)人: 钢铁研究总院
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02
代理公司: 北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙) 11248 代理人: 张小娟
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于稀土永磁材料技术领域,涉及一种热压低温扩散热变形纳米晶磁体及其制备方法。该纳米晶磁体包括热压磁胚和附着在热压磁胚表面的含铈低熔点合金;通过以下方法制备:对磁粉在500℃~750℃进行热压处理,得到热压磁胚,然后将含铈低熔点合金附着在热压磁胚表面,并在600℃~850℃扩散处理0.5~12h,再在650℃~900℃进行热变形,得到该纳米晶磁体。本发明中,含铈低熔点合金在扩散过程中进入热压磁体内部,可以降低晶界相熔点和热变形温度,有利于提高取向度和细化晶粒组织,获得具有高综合性能和温度稳定性的热压热变形纳米晶磁体。
搜索关键词: 一种 热压 低温 扩散 变形 纳米 磁体 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种热压低温扩散热变形纳米晶磁体,其特征在于:所述纳米晶磁体包括热压磁胚和附着在热压磁胚表面的含铈低熔点合金;所述含铈低熔点合金化学成分按原子百分比为:CeaREbM100‑a‑b,其中,RE为Y、La、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy和Ho中的一种或几种;M为Al、Cu、Zn、Ga、Ag、Pb、Bi和Sn中的一种或几种;0<a≤30;25≤b≤95;25<a+b≤95。
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