[发明专利]一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法有效
| 申请号： | 201811441069.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111233041B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王冬娥;田志坚;潘振栋;李鹏;王琳;韩健强;王从新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法。包括以下步骤：(1)将一定浓度的钼源和硫源的水溶液分别加入到两份配好的乳化溶液中，乳化形成反相微乳液A和B，将反相微乳液A和B混合得到反相微乳液C，将C进行微乳热处理后分离、洗涤、干燥得到纳米二硫化钼；(2)将步骤(1)制备的纳米二硫化钼分散在离子液体水溶液中，在15～80℃下进行离子交换2～72h，将获得的产物分离、洗涤、干燥，得到离子液体插层的纳米二硫化钼。本发明合成方法具有该制备过程条件温和、操作过程简单安全、无需后续杂质处理，所制备的离子液体插层的纳米二硫化钼具有1.0～4.0nm的层间距、高分散性和5～30nm的颗粒尺寸，具有最极高的边位活性位暴露率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 液体 纳米 二硫化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
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