[发明专利]层状结构、包括层状结构的电子装置、包括电子装置的系统和制造层状结构的方法在审
| 申请号： | 201811441589.3 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109841862A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 藤田静雄;小野雅文;内田贵之;金子健太郎;田中孝;柳生慎悟;四户孝;井川拓人 | 申请（专利权）人： | 流慧株式会社;爱德株式会社;国立大学法人京都大学 |
| 主分类号： | H01M8/0228 | 分类号： | H01M8/0228 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 周丹;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明主题的第一方面，层状结构包括：基底，该基底包括作为主要组分的第一金属和不同于第一金属的第二金属；以及基底的热氧化膜，该热氧化膜布置在基底上且含有第一金属的氧化物和第二金属的氧化物。包含在基底中的第一金属的原子组成比大于包含在基底中的第二金属的原子组成比。包含在热氧化膜中的氧化物的第一金属的原子组成比小于包含在基底中的第一金属的原子组成比。包含在热氧化膜中的氧化物的第二金属的原子比等于或大于包含在热氧化膜中的氧化物的第一金属的原子比。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 基底 热氧化膜 氧化物 层状结构 原子组成 电子装置 原子比 制造 | ||
【主权项】：
1.一种层状结构，包括：基底，所述基底包括作为主要组分的第一金属和不同于所述第一金属的第二金属；以及所述基底的热氧化膜，所述热氧化膜布置在所述基底上且包括所述第一金属的氧化物和所述第二金属的氧化物，包含在所述基底中的所述第一金属的原子组成比高于包含在所述基底中的所述第二金属的原子组成比，包含在所述热氧化膜中的所述氧化物的所述第一金属的原子组成比小于包含在所述基底中的所述第一金属的原子组成比，并且包含在所述热氧化膜中的所述氧化物的所述第二金属的原子比等于或大于包含在所述热氧化膜中的所述氧化物的所述第一金属的原子比。
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