[发明专利]一种具有长寿命热电子的量子点(QDs)及其制备方法在审
| 申请号： | 201811441701.3 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111244204A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 吴凯丰;王荔峰;陈宗威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明具体公开了一种具有长寿命热电子的量子点(QDs)及其制备方法。在光伏器件领域，对热电子进行有效转移是一种克服Shockley–Queisser限制的重要方式。在本发明中，铜掺杂硒化镉量子点掺杂的铜离子可以在飞秒时间尺度将价带上的空穴捕获，从而抑制了热电子的这种俄歇型冷却途径，使热电子寿命从数百飞秒延长到了数十纳秒，延长了～5个数量级。并且在电子受体存在条件下，～82％的热电子可以被提取，这对发展高效太阳能电池有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 寿命 电子 量子 qds 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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