[发明专利]一种二极管腐蚀清洗工艺在审
| 申请号： | 201811441786.5 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585271A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴强德 | 申请（专利权）人： | 嘉兴柴薪科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二极管腐蚀清洗工艺，所述清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡,其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层,钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面，使芯片侧面形成钝化保护层，钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质，金属离子，颗粒沾污。本发明的优点在于：添加热水冲水浸泡工艺，使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解，提升清洗效果，从而降低因芯片表面沾污而导致的产品漏电流，提升产品的良率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗工艺 芯片侧面 钝化 腐蚀 化学反应 二极管 金属离子 颗粒沾污 有机杂质 杂质清洗 浸泡 钝化保护层 芯片钝化层 钝化表面 化学腐蚀 清洗效果 热水冲洗 芯片表面 漏电流 损伤层 冲水 良率 吸附 沾污 去除 切割 溶解 | ||
【主权项】：
1.一种二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于：所述清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡,其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层,钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面，使芯片侧面形成钝化保护层，钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质，金属离子，颗粒沾污；热水冲水浸泡工艺使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
