[发明专利]一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811441984.1 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN109390195B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 刘伟;吴浩;王金淑;周帆;杨韵斐;李俊辉;潘兆柳;骆凯捷;梁轩铭 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01J1/144 分类号: H01J1/144;H01J1/146;H01J1/16;H01J9/04;B22F3/11
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法,属于稀土难熔金属热阴极材料技术领域。采用溶胶凝胶加氢气还原的方法制备亚微米级氧化钪掺杂难熔金属粉末,经过压制微波烧结得到亚微米结构顶层含钪难熔金属基体;对难熔金属粉末进行压制烧结制得难熔金属阴极基体,将阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行退火处理得到基底难熔金属阴极,最后通过焊接的方式如激光焊、钎焊等制备亚微米结构顶层含钪阴极。本发明制得的亚微米结构顶层含钪阴极具有发射电流密度大,发射均匀性好的特点,经充分激活后,在950℃工作温度下,最高发射电流密度可达100A/cm2,发射斜率达1.41以上。
搜索关键词: 一种 微米 结构 顶层 阴极 及其 制备 方法
【主权项】:
1.亚微米结构顶层含钪阴极,其特征在于:阴极为上下结构,上层即顶层是由亚微米颗粒构成的氧化钪掺杂难熔金属基的多孔结构,下层是由填充活性物质的基底海绵体构成,其中顶层多孔结构由Sc2O3和难熔金属组成,其中Sc2O3含量在1‑10%wt,其余难熔金属;下层的基底海绵体是由难熔金属多孔体构成,之后在其孔洞中高温浸渍对阴极发射有利的活性物。
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