[发明专利]硅基叠层的形成方法及硅基太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201811442208.3 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111244223A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 田伟辰;洪政源;叶昌鑫;吴以德 | 申请（专利权）人： | 财团法人金属工业研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅基叠层的形成方法，其包括提供硅基板，其中硅基板具有相对的第一表面与第二表面。于第一表面上形成第一薄膜层。于第二表面上形成第二薄膜层。对硅基板、第一薄膜层及第二薄膜层进行微波制程，以钝化第一薄膜层及第二薄膜层。一种硅基太阳能电池的制造方法也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基叠层 形成 方法 太阳能电池 制造 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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