[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811442707.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109860145A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 颜智洋;吕芳谅;刘致为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括非绝缘体结构、第一层间介电质层、第一热通孔及第一电通孔。第一层间介电质在非绝缘体结构上方。第一热通孔穿过第一层间介电质层并且与非绝缘体结构接触。第一电通孔穿过第一层间介电质层并且与非绝缘体结构接触。第一热通孔及第一电通孔具有不同材料及相同高度。 | ||
| 搜索关键词： | 第一层 介电质层 电通孔 热通孔 半导体装置 绝缘体结构 非绝缘体 与非 穿过 介电质 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一非绝缘体结构；一第一层间介电质层，在该非绝缘体结构上方；一第一热通孔，穿过该第一层间介电质层并且与该非绝缘体结构接触；以及一第一电通孔，穿过该第一层间介电质层并且与该非绝缘体结构接触，其中该第一热通孔及该第一电通孔具有不同材料及相同高度。
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