[发明专利]一种提高光电效率的硅片清洗方法

摘要

本发明公开了硅片制造领域内的一种提高光电效率的硅片清洗方法，流程为：上料—纯水漂洗—碱洗—活性剂—碱洗（加活性剂）—纯水漂洗—纯水漂洗——预脱水（慢提拉）—烘干—下料，此工艺耗时少、生产效率高、清洗药剂用量小成本低，本新工艺发明为将切片下机的硅片先自动预清洗（脱胶机），经过插片后再到清洗机药剂槽内添加一定比例的表面活性剂，设置工艺温度和清洗时间，调整换水频次，操作简便、运行成本低，能获得高洁净度的硅片表面，可用于硅片生产制造中。

主权项

1.一种提高光电效率的硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：1）上料：将插有硅片的片盒放入清洗篮框中；2）纯水漂洗：将装有硅片的篮筐送入超声纯水漂洗槽，清除硅片表面残留的硅粉和金属颗粒；3）一次药剂超声清洗：将上述纯水漂洗结束后的硅片送入第一个药剂槽进行超声清洗，药剂选用氢氧化钠混合物；4）二次药剂超声清洗：接着进入第二个药剂槽进行超声清洗，药剂选用活性剂混合物；5）三次药剂超声清洗：再进入第三个药剂槽进行超声清洗，药剂选用活性剂混合物和氢氧化钠混合物；6）纯水漂洗：药剂槽清洗结束后，再进入纯水溢流漂洗槽进行漂洗；7）预脱水：漂洗结束后进入慢提拉槽进行预脱水；8）烘干：预脱水后的硅片进入烘干槽进行烘干；9）检测打包：烘干后的硅片逐片经过分选机检测，按等级分类，人工再次复检无异常后打包入库。