[发明专利]一种等离子刻蚀装置在审
申请号: | 201811446079.5 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109461641A | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 崔岸;郝裕兴;张睿;陈宠;刘芳芳;刘天赐;黄显晴;杨伟丽;徐晓倩 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/02 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 李冉 |
地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子刻蚀装置,包括:真空腔体、上电极、下电极和上下电极运动装置;其中所述上电极和所述下电极均位于所述真空腔体内,上下电极运动装置包括传动杆和直线电机。在刻蚀的整个过程中,既需要加热又需要冷却,由于在刻蚀时,离子要轰击硅片表面及其周边,使表面产生高温,这样在开始和结束时硅片表面温度变化比较大,加热管路和冷却管路使温度保持在一个稳定范围,在刻蚀开始时加热管路起主要作用,结束时冷却管路起主要作用。本发明通过调节电极距离硅片的距离和RF电源的功率来控制磁场、电场的分布和大小,调节温度、反应气体浓度,有效实现刻蚀的均一性。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 等离子刻蚀装置 硅片表面 加热管路 冷却管路 上下电极 运动装置 电极 下电极 电场 电极距离 反应气体 温度保持 有效实现 真空腔体 直线电机 传动杆 均一性 真空腔 硅片 磁场 轰击 加热 离子 冷却 体内 | ||
【主权项】:
1.一种等离子刻蚀装置,其特征在于,包括:真空腔体、上电极、下电极和上下电极运动装置;其中所述上电极和所述下电极均位于所述真空腔体内;所述上下电极运动装置包括传动杆和直线电机;所述上电极由四个同心设置的环状电极构成,四个所述环状电极的上方分别对应连接有环形陶瓷片,所述环形陶瓷片分别通过连接杆连接有固定盘;四个所述环状电极由内而外依次为第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极;所述第一上电极上方对应设置的所述固定盘通过固定杆连接在所述真空腔体顶部;所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极上方对应设置的固定盘分别连接有所述传动杆,并且传动杆伸出至所述真空腔体顶板外与所述直线电机传动连接,使所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极能够上下移动;所述第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极外侧均环绕有用于提供反应气体的上电极绝缘充气环;所述第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极内部均设置有上下布置的上电极加热管路和上电极冷却管路;所述下电极包括移动下电极和固定下电极,所述移动下电极为U型结构且位于所述固定下电极内构成圆形的所述下电极,所述移动下电极和所述固定下电极通过导线连接,使其成为同电位;所述固定下电极周边设置下电极绝缘充气环;所述移动下电极和所述固定下电极内部均设置有上下布置的下电极加热管路和下电极冷却管路;所述固定下电极通过支架固定在所述真空腔体底板上;所述真空腔体底板设置有抽真空口,所述真空腔体底部设置有底座,所述移动下电极通过传动杆与所述真空腔体底座内的直线电机传动连接,使所述移动下电极能够上下移动。
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