[发明专利]一种AlN模板、外延片结构及制造方法在审
| 申请号： | 201811446403.3 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109638117A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张奕;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种AlN模板、外延片结构及制造方法，属于半导体技术领域。所述AlN模板包括衬底以及设置在所述衬底上的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括依次层叠的多个AlN子层，多个所述AlN子层的晶格常数沿多个所述AlN子层的层叠方向逐渐增大。由于GaN材料的晶格常数大于AlN材料的晶格常数，因此多个AlN子层的晶格常数逐渐增大可以使得靠近GaN外延层的AlN子层的晶格常数与GaN外延层的晶格常数更匹配，从而可以减少在AlN模板上生长的GaN外延层内的压应力，提升LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格常数 子层 外延片结构 逐渐增大 衬底 半导体技术领域 层叠方向 发光效率 依次层叠 压应力 匹配 制造 生长 | ||
【主权项】：
1.一种AlN模板，所述AlN模板包括衬底以及设置在所述衬底上的AlN薄膜，其特征在于，所述AlN薄膜包括依次层叠的多个AlN子层，多个所述AlN子层的晶格常数沿多个所述AlN子层的层叠方向逐渐增大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811446403.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
