[发明专利]p-BN/i-AlGaN/n-AlGaN的紫外探测器及制作方法

摘要

本发明公开了一种p‑BN/i‑AlGaN/n‑AlGaN的紫外探测器及其制作方法，主要解决现有AlGaN基紫外探测器的响应时间较长、量子效率较低以及光谱响应度较差的问题。其自下而上包括：衬底、AlN成核层、AlN本征层、AlGaN本征层、n型AlGaN层、n电极、i型AlGaN层、P型BN层和p电极，其特征在于，p型BN层采用厚度为60‑100nm的Mg掺杂的纤锌矿氮化硼材料，掺杂的浓度为5×1017‑1×1019cm‑3以上的Mg掺杂的纤锌矿氮化硼材料。本发明由于P型氮化硼能够有效地提供空穴，使得探测器的响应时间变短、量子效率以及光谱响应度提升，可用于光通信、生化分析、臭氧检测和公安刑侦。

主权项

1.一种p‑BN/i‑AlGaN/n‑AlGaN的紫外探测器，自下而上包括：衬底(1)、AlN成核层(2)、AlN本征层(3)、AlGaN本征层(4)、n型AlGaN层(5)、n电极(6)、i型AlGaN层(7)、P型BN层(8)和p电极(9)，其特征在于，p型BN层(8)采用厚度为60‑100nm的Mg掺杂的纤锌矿氮化硼材料，掺杂的浓度为5×1017‑1×1019cm‑3。