[发明专利]微型发光二极管芯片的巨量转移系统以及方法有效

专利信息
申请号: 201811447938.2 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN109548396B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 李响;张义荣;邬剑波 申请(专利权)人: 上海九山电子科技有限公司
主分类号: H05K13/04 分类号: H05K13/04
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201315 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明实施例公开了一种微型发光二极管芯片的巨量转移系统以及方法,该系统包括:控制器、电磁场产生单元以及吸附平面,控制器的电磁场电信号输出端与电磁场产生单元的控制端电连接,用于向电磁场产生单元发送电磁场产生信号或者电磁场消除信号;电磁场产生单元用于根据电磁场产生信号,在吸附平面形成阵列式的芯片吸附磁场;或者,电磁场产生单元用于根据电磁场消除信号,消除在吸附平面形成的阵列式的芯片吸附磁场。本发明实施例提供的技术方案,通过电磁场产生单元在控制器的控制下,在吸附平面形成或消除阵列式的芯片吸附磁场,将微型发光二极管芯片转移至目标电路板上,该过程效率较高、良品率较好且转移精度较高。
搜索关键词: 微型 发光二极管 芯片 巨量 转移 系统 以及 方法
【主权项】:
1.一种微型发光二极管芯片的巨量转移系统,其特征在于,包括:控制器、电磁场产生单元以及吸附平面,所述控制器的电磁场电信号输出端与所述电磁场产生单元的控制端电连接,用于向所述电磁场产生单元发送电磁场产生信号或者电磁场消除信号;所述电磁场产生单元用于根据所述电磁场产生信号,在所述吸附平面形成阵列式的芯片吸附磁场;或者,所述电磁场产生单元用于根据所述电磁场消除信号,消除在所述吸附平面形成的阵列式的芯片吸附磁场。
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