[发明专利]一种功率半导体芯片钎焊溢料控制方法在审

专利信息
申请号: 201811448031.8 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN109663998A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 尹国平 申请(专利权)人: 贵州振华风光半导体有限公司
主分类号: B23K1/00 分类号: B23K1/00;B23K1/20;H01L21/48
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 刘安宁
地址: 550000 贵*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种功率半导体芯片钎焊溢料控制方法,该方法是在芯片焊接前,在外壳基座上,沿功率半导体芯片焊接区域四周,通过激光标刻方式,刻出一道沟槽,形成一个引流圈;按正常钎焊工艺流程在外壳基座上先放置预制焊料,再将芯片放置在预制焊料上,最后加上压块放入真空烧结炉中进行钎焊;此时,溢出的焊料被限制在引流圈范围内,从而防止溢出焊料向外流动,避免造成短路。本方法具有以下优点:①可直接使用已有的工装夹具,适合规模化生产;②不需对原有钎焊工艺参数进行调整,可快速导入生产;③可将溢出钎料控制在预定区域,提高产品质量。本方法适用于功率半导体分立器件和集成电路芯片钎焊。
搜索关键词: 焊料 钎焊 功率半导体芯片 溢出 外壳基座 引流圈 溢料 预制 集成电路芯片 钎焊工艺参数 功率半导体 规模化生产 真空烧结炉 分立器件 工装夹具 焊接区域 激光标刻 芯片放置 芯片焊接 预定区域 工艺流程 短路 放入 钎料 压块 流动 生产
【主权项】:
1.一种功率半导体芯片钎焊溢料控制方法,其特征在于该方法是在芯片焊接前,在外壳基座上,沿功率半导体芯片焊接区域四周,通过激光标刻方式,刻出一道沟槽,形成一个引流圈;按正常钎焊工艺流程在外壳基座上先放置预制焊料,再将芯片放置在预制焊料上,最后加上压块放入真空烧结炉中进行钎焊;此时,溢出的焊料被限制在引流圈范围内,从而防止溢出焊料向外流动,避免造成短路。
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