[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本公开涉及一种制造半导体器件的方法，以用于提高半导体器件的可靠性。在制造半导体器件的方法中，氮被引入到衬底的表面中，并且牺牲膜在与存储器晶体管形成区域不同的场效应晶体管形成区域中的表面上被形成。之后，牺牲膜被移除以移除在场效应晶体管形成区域中衬底的表面中引入的氮。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有第一场效应晶体管形成区域和存储器晶体管形成区域，所述方法包括以下步骤：(a)在所述存储器晶体管形成区域中的衬底的表面上形成第一绝缘膜；(b)在所述步骤(a)之后，在含氮气氛中对所述衬底执行热处理，以将氮引入到所述存储器晶体管形成区域中的所述第一绝缘膜中；(c)在所述步骤(b)之后，在所述存储器晶体管形成区域中的所述第一绝缘膜上、以及在所述第一场效应晶体管形成区域上形成具有陷阱能级的第二绝缘膜；(d)在所述步骤(c)之后，暴露所述第一场效应晶体管形成区域中的所述衬底的所述表面；(e)在所述步骤(d)之后，在所述第一场效应晶体管形成区域中的所述衬底的所述表面上形成牺牲膜；(f)在所述步骤(e)之后，移除所述牺牲膜；(g)在所述步骤(f)之后，在所述第一场效应晶体管形成区域中的所述衬底的所述表面上、以及在所述存储器晶体管形成区域中的所述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜；(h)在所述步骤(g)之后，形成第一导体膜，所述第一导体膜从形成在所述第一场效应晶体管形成区域中的所述第三绝缘膜上到形成在所述存储器晶体管形成区域中的所述第三绝缘膜上；以及(i)在所述步骤(h)之后，图案化所述第一导体膜，以在所述第一场效应晶体管形成区域中形成第一栅极电极以及在所述存储器晶体管形成区域中形成存储器栅极电极。