[发明专利]SiC外延晶片的评价方法及制造方法有效
| 申请号： | 201811449365.7 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109887853B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 西原祯孝;龟井宏二 | 申请（专利权）人： | 株式会社力森诺科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及SiC外延晶片的评价方法及制造方法。该SiC外延晶片的评价方法包括：准备具有杂质浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | sic 外延 晶片 评价 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种SiC外延晶片的评价方法，包括：准备SiC外延晶片的步骤，该SiC外延晶片具有杂质浓度为1×1018cm‑3以上的高浓度外延层；对所述杂质浓度为1×1018cm‑3以上的高浓度外延层的表面照射激发光的步骤；以及第1观察步骤，在该第1观察步骤中，经由430nm以下波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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