[发明专利]避免非易失存储器过擦写的方法有效
| 申请号： | 201811450860.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109584939B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赵强;武占河;李文周;王玉娟;金则群 | 申请（专利权）人： | 华立科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310023 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种避免非易失存储器过擦写的方法，通过实时统计非易失Flash的擦写次数，从中锁定一些最频繁被擦写的地址，对于超过约定擦写次数的地址，可以暂时中止擦写，停止进一步对非易失Flash的损伤，同时通过通讯、显示，将异常地址上报，从而便于程序员知道问题隐患并可及时定位问题所在。通过本发明，可以在内部测试期间就发现问题，从而将隐患消灭在出厂前，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 非易失 存储器 擦写 方法 | ||
【主权项】：
1.一种避免非易失存储器过擦写的方法，其特征在于，所述的方法包括：上电或超过约定的时间T，对信息记录单元中的变量Flash_Erase执行初始化；筛选信息记录单元中的变量Flash_Erase中记录的非易失存储器Flash页地址，从中锁定那些最多擦写的页地址；定时检查记录的数据，当页地址发生过擦除时，将异常地址信息外传。
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