[发明专利]一种变关断负压的SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及控制方法

摘要

本发明为一种变关断负压的SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及控制方法，该电路包括第一、二、三、四电压图腾柱结构电路、第一、二驱动电阻电路、第一、二低阻抗回路和上、下管；所述第一电压图腾柱结构电路连接第二电压图腾柱结构电路；第二电压图腾柱结构电路连接第一驱动电阻电路，第一驱动电阻电路与上管之间连接第一低阻抗回路；所述第三电压图腾柱结构电路连接第四电压图腾柱结构电路；第四电压图腾柱结构电路连接第二驱动电阻电路，第二驱动电阻电路与下管之间连接第二低阻抗回路；上管与下管连接。本发明可充分发挥SiC MOSFET高速开关的性能优势，在实现桥臂串扰抑制功能的同时提高关断瞬间的驱动电压，实现高速开关，减少开关管的损耗。

主权项

1.一种变关断负压的SiCMOSFET桥臂串扰抑制驱动电路，该电路包括上桥臂和下桥臂，其特征在于；所述上桥臂包括第一电压图腾柱结构电路、第二电压图腾柱结构电路、第一驱动电阻电路和上管；所述第一电压图腾柱结构电路的输出端与第二电压图腾柱结构电路的输入端连接；第二电压图腾柱结构电路的输出端连接第一驱动电阻电路的输入端，第一驱动电阻电路的输入端连接上管的栅极，该上桥臂还包括第一低阻抗回路，所述第一低阻抗回路的一端连接上管的栅极，另外一端连接上管的源极；所述下桥臂包括第三电压图腾柱结构电路、第四电压图腾柱结构电路、第二驱动电阻电路和下管；所述第三电压图腾柱结构电路的输出端与第四电压图腾柱结构电路的输入端连接；第四电压图腾柱结构电路的输出端连接第二驱动电阻电路的输入端，第二驱动电阻电路的输出端连接下管的栅极该上桥臂还包括第二低阻抗回路，所述第二低阻抗回路的一端连接下管的栅极，另外一端连接下管的源极，上管的源极连接下管的漏极。