[发明专利]剥离装置有效
申请号: | 201811451401.3 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN110010519B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 日野原和之 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供剥离装置,能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离,并且能够将剥离屑从所剥离的晶片的剥离面去除。剥离装置(2)至少包含:保持单元(4),其对锭(50)进行保持;超声波单元(6),其对保持单元(4)所保持的锭(50)赋予超声波而对剥离层(74)进行刺激;以及剥离单元(10),其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持部(36)和从保持部(36)突出而围绕着要生成的晶片的外周的环状壁(38)。在环状壁(38)的内侧形成有多个喷射口(38a),这些喷射口(38a)朝向从锭(50)剥离出的晶片(76)的剥离面(76a)喷射清洗水(W)而进行清洗。 | ||
搜索关键词: | 剥离 装置 | ||
【主权项】:
1.一种剥离装置,其从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而照射激光光线从而形成有剥离层的锭剥离出要生成的晶片,其中,该剥离装置至少包含:保持单元,其对锭进行保持;超声波单元,其对该保持单元所保持的锭赋予超声波而对该剥离层进行刺激;以及剥离单元,其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持部和从该保持部突出而围绕着要生成的晶片的外周的环状壁,在该环状壁的内侧形成有多个喷射口,这些喷射口朝向从锭剥离出的晶片的剥离面喷射清洗水而进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造