[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811451529.X 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109671819B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 刘旺平;张武斌;乔楠;胡加辉;李鹏 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: H01L33/12 分类号: H01L33/12;H01L33/00
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法,属于GaN基发光二极管领域。方法包括:提供衬底;在所述衬底上沉积缓冲层,所述缓冲层包括若干层叠的复合层,所述复合层包括AlN子层和AlNO子层,各个所述复合层中的AlNO子层的氧含量从距离所述衬底最近的复合层到距离所述衬底最远的复合层递增;在所述缓冲层上顺次沉积非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层。
搜索关键词: 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法
【主权项】:
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