[发明专利]包括绝缘层的半导体器件及其制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法包括：准备包括具有不同有源区域密度的单元区域和外围区域的衬底；形成单元沟槽，其用于在单元区域中限制单元有源区域，使得单元有源区域被形成为在第一方向上间隔开第一宽度并在第二方向上间隔开第二宽度；形成外围沟槽，其用于在外围区域中限制外围有源区域；以及在单元沟槽中形成第一绝缘层，其在第一方向和第二方向上连续延伸并且接触单元有源区域的侧壁，并且具有等于或大于第一宽度的一半且小于第二宽度的一半的厚度。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括具有不同有源区域密度的单元区域和外围区域；单元有源区域，其在所述单元区域中以在第一方向上间隔开第一宽度并在第二方向上间隔开第二宽度；在所述外围区域中的外围有源区域；单元隔离层，其被构造为限制所述单元有源区域；以及外围隔离层，其被构造为限制所述外围有源区域，其中所述单元隔离层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述单元有源区域的侧壁接触，并且被构造为在所述第一方向和所述第二方向上连续延伸，以及所述第一绝缘层的厚度等于或大于所述第一宽度的一半且小于所述第二宽度的一半。