[发明专利]一种发光二极管P型层结构及其外延结构及制备方法在审
| 申请号： | 201811452243.3 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109326699A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 卢国军;马后永 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/12 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之;周乃鑫 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管P型层结构及其外延结构及制备方法，P型层结构是包含本征GaN、MgN和PGaN的多周期结构，本征GaN、MgN和PGaN从下到上依次生成，本征GaN为非掺杂GaN，P型层的周期n大于或等于3。二极管外延结构从下到上依次包含衬底、缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、多周期应力调节层、多周期量子阱发光区、P型电子阻挡层和P型层结构。本发明P型层结构是一种P型区域新结构，有效提高P型层的空穴浓度和迁移效率，能够加强空穴的注入效率，提升电子和空穴在MQW区域分布的均衡性，提高电子和空穴的复合几率，从而提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 本征 发光二极管 外延结构 多周期 制备 二极管外延结构 多周期结构 应力调节层 发光效率 非掺杂层 复合几率 区域分布 注入效率 发光区 非掺杂 缓冲层 均衡性 量子阱 新结构 衬底 迁移 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管P型层，其特征在于，所述P型层是包含本征GaN、MgN和PGaN的多周期结构，所述本征GaN、所述MgN和所述PGaN从下到上依次生成，所述本征GaN为非掺杂GaN；所述P型层的周期n大于或等于3。
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