[发明专利]一种AlInN纳米微结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811452266.4 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109560173A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 卢国军;马后永 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/24;H01L33/32;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之;潘朱慧 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种AlInN纳米微结构及其制备方法，在低温、高压和大氨气流量环境下，在衬底上生长预铺层，降低气压和氨气流量，升高温度，升温过程中在预铺层上生长升温保护层，在高温、低压和小氨气流量环境下，在升温保护层上生长AlInN纳米微结构层，升高气压和氨气流量，在保护环境下降温，获得呈蜂窝状结构的AlInN纳米微结构。本发明制备的一种AlInN纳米微结构具有蜂窝状结构，使其应用到LED上可提高晶体质量和出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米微结构 氨气流量 制备 蜂窝状结构 保护层 铺层 生长 纳米微结构层 出光效率 升温过程 高气压 衬底 气压 升高 应用 | ||
【主权项】：
1.一种AlInN纳米微结构，其特征在于，包含：衬底；预铺层，其生长在衬底上；升温保护层，其生长在预铺层上；AlInN纳米微结构层，其生长在升温保护层上，呈蜂窝状结构。
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