[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811452808.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109560174A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 卢国军;马后永 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之;潘朱慧 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下到上包含：衬底、缓冲层、非掺杂层、N型层、多周期应力调节结构(GaN/InxGa1‑xN)n1、发光层多周期量子阱结构(GaN/InaGa1‑aN)n2、P型电子阻挡层、p‑GaN层；所述非掺杂层包含有多周期结构，每个周期进一步包含低温生长的LTGaN层，以及高温生长的第一HTGaN层、AlGaN层、第二HTGaN层。本发明可以有效提高LED外延片的晶体质量，提升LED的发光效率、抗静电能力以及抗老化能力。 | ||
| 搜索关键词： | 非掺杂层 多周期 制备 多周期结构 抗静电能力 量子阱结构 低温生长 发光效率 高温生长 应力调节 发光层 缓冲层 抗老化 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，包含以下过程：步骤一、在衬底上生长缓冲层；步骤二、在缓冲层上生长非掺杂层；所述非掺杂层包含有多周期结构，每个周期进一步包含低温生长的LTGaN层，以及高温生长的第一HTGaN层、AlGaN层、第二HTGaN层；步骤三、在所述非掺杂层上生长N型层；步骤四、在所述N型层生长结束后，生长多周期应力调节结构(GaN/InxGa1‑xN)n1；步骤五、在所述多周期应力调节结构(GaN/InxGa1‑xN)n1生长结束后，生长发光层多周期量子阱结构(GaN/InaGa1‑aN)n2；步骤六、在所述发光层多周期量子阱结构(GaN/InaGa1‑aN)n2生长结束后，生长P型电子阻挡层；步骤七、在所述P型电子阻挡层上生长p‑GaN层。
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