[发明专利]一种SiC JBS器件在审
| 申请号： | 201811453052.9 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261723A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张文婷;杨霏;郑柳;桑玲;焦倩倩;夏经华;田丽欣;吴沛飞 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/02;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SiC JBS器件，包括：有源区和终端保护区，所述终端保护区布置在所述有源区周边，所述有源区包括多个P型区和肖特基接触区；所述有源区为矩形结构；所述多个P型区呈多行多列交错排列，所述肖特基接触区填充在各P型区之间。本发明提供的多个P型区呈多行多列交错排列，保证了SiC JBS器件的反向击穿特性的同时增加了肖特基势垒区域面积，提高了导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic jbs 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司，未经全球能源互联网研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811453052.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有光学式指纹识别组件的中框
- 下一篇：半导体器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
