[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811453223.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109994540B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 大部功;梅本康成;柴田雅博;小屋茂树;近藤将夫;筒井孝幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具有包括层叠在基板上的第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管，上述第一集电极层的组成与上述第二集电极层的组成不同，在俯视时，上述第一集电极层与上述第二集电极层的界面的边缘比上述基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，上述第二集电极层的上表面的边缘与上述基极层的下表面的边缘一致或者比上述基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
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