[发明专利]包括过模通孔结构的层叠封装件

摘要

包括过模通孔结构的层叠封装件。一种层叠封装件包括第一子封装件和层叠在第一子封装件上的第二子封装件。第一子封装件包括：用于连接的第一过模通孔(TMV)，其在X轴方向上与第一半导体芯片间隔开；用于旁通的第一TMV，其在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开；以及第一重分布层(RDL)图案，其将第一半导体芯片连接至用于连接的第一TMV。第二子封装件包括：用于连接的第二TMV，其在Y轴方向上与第二半导体芯片间隔开；以及另一RDL图案，其将第二半导体芯片连接至用于连接的第二TMV。第二子封装件层叠在第一子封装件上，使得用于连接的第二TMV连接至用于旁通的第一TMV。

主权项

1.一种层叠封装件，该层叠封装件包括：第一子封装件；第二子封装件，所述第二子封装件层叠在所述第一子封装件上；以及第三子封装件，所述第三子封装件与所述第一子封装件相对地层叠在所述第二子封装件上，其中，所述第一子封装件包括：第一半导体芯片；用于连接的第一过模通孔TMV，该用于连接的第一TMV在X轴方向上与所述第一半导体芯片间隔开；用于旁通的第一TMV，所述用于旁通的第一TMV在Y轴方向上与所述第一半导体芯片间隔开；第二重分布层RDL图案，该第二RDL图案将所述第一半导体芯片连接至第一外连接器；以及第三RDL图案，所述第三RDL图案将所述用于旁通的第一TMV连接至第二外连接器，其中，所述第二子封装件包括：第二半导体芯片；用于旁通的第二TMV，所述用于旁通的第二TMV在所述Y轴方向上与所述第二半导体芯片间隔开并且连接至所述用于旁通的第一TMV；以及第四RDL图案，所述第四RDL图案将所述第二半导体芯片连接至所述用于连接的第一TMV，并且其中，所述第三子封装件包括：第三半导体芯片；以及第五RDL图案，所述第五RDL图案将所述第三半导体芯片连接至所述用于旁通的第二TMV。