[发明专利]一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器

摘要

本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器。本发明在SIW本体上开一条中间槽线用来安装贴片电阻，将经典的表贴电阻π型衰减器中间的串联电阻用五个并联电阻替换，每个电阻阻值为之前电阻阻值的五倍，同时两个接地电阻阻值保持不变，构成改进的表贴电阻π型衰减器以实现衰减功能。基于此设计思路得到的SIW衰减器对应于1dB、2dB、3dB、4dB和5dB衰减量时，其工作带宽为7.2‑13.7GHz(62.2％)，其工作带宽获得了极大地拓展。

主权项

1.一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器，基于常规的全模基片集成波导电路结构，包括SIW本体、渐变线和微带线，其特征在于：SIW本体宽边长度为Ws，长边长度为Ls，渐变线的宽边长度为Wt，窄边长度为Wm，长度为Lt，窄边连接宽度为Wm、长度为Lm的微带线，SIW本体的四个角各自引入一个匹配用的金属化通孔，直径均为Match_d，共计4个；在SIW本体上设有一条中间槽线用来安装贴片电阻，中间槽线设置于SIW本体的长边中垂线上，长度为Gap_L、宽度为Gap_W，其几何中心与SIW本体的几何中心重合；所述贴片电阻采用改进的表贴电阻π型衰减器实现衰减功能，该改进的表贴电阻π型衰减器是将经典的表贴电阻π型衰减器中间的串联电阻由一个改为五个电阻并联的结构形式；五个贴片电阻垂直于中间槽线按中心距为res_L等距离设置于中间槽线上，且最中间的贴片电阻的中心点与SIW本体的中心点重合；沿信号传输的方向，在SIW的金属层上开设有两个关于中间槽线对称的过渡结构，过渡结构距中间槽线对应侧边缘的长度为b；过渡结构的形状由一个矩形和等腰三角形构成，等腰三角形的底边与矩形的宽边重合作为公共边；过渡结构靠近中间槽线的一端是长度为Kon_L、宽度为Kon_W的矩形端；远离中间槽线的一端是三角形端，其底边长度为Kon_W，底边高的长度为a；每个过渡结构的矩形端内部均设有一个矩形金属块，金属块中设有接地通孔，用来安装改进的表贴电阻π型衰减器的接地电阻；在过渡结构的矩形端内部，设计有长度为Ground_L，宽度为Ground_W的矩形金属块，在该矩形金属块内部，设计有直径为Hole_d的接地通孔；其中过渡结构、矩形金属块，以及接地通孔的对称轴均处于同一直线上，且与SIW本体的长边平行；改进的表贴电阻π型衰减器的两个接地电阻分别接在最中间的贴片电阻的两端，一端与中间电阻相连，另一端接在锥形过渡中间的接地矩形块上。