[发明专利]一种自催化低温快速合成Cu2 有效
| 申请号： | 201811454192.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109250692B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;杨东旺;黎俊;张敏;柳伟;鄢永高 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣;李欣荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明首次开发了一种自催化低温快速合成Cu |
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| 搜索关键词： | 一种 催化 低温 快速 合成 cu base sub | ||
【主权项】：
1.一种自催化低温快速合成Cu2Se基热电材料的方法，它以Se粉和过量Cu粉为原料，进行低温反应得到Cu2Se基化合物。
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